លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
DMN2009LSS-13
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Diodes Incorporated
លេខកូដបាកទំនិញ:
DMN2009LSS-13-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
ស្ពានឧត្តម:
1816 ឯកតា ថ្មី ធ្វើពីដើម មានស្តុក
12888582
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
WEFz
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
DMN2009LSS-13 កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Diodes Incorporated
ការបញ្ចប់
Tape & Reel (TR)
ស៊េរី
-
ស្ថានភាពផលិតផល
Active
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
20 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
12A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
1.2V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
58.3 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±12V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
2555 pF @ 10 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
2W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
8-SO
កញ្ចប់ / ករណី
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
DMN2009
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
31-DMN2009LSS-13DKR
31-DMN2009LSS-13TR
31-DMN2009LSS-13CT
DMN2009LSS-13-DG
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
2,500
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
ROHS3 Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
SI4408DY-T1-E3
ផលិតករ
Vishay Siliconix
បរិមាណដែលមានavailable
5837
លេខផ្នែក
SI4408DY-T1-E3-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
1.05
ប្រភេទជំនួស
MFR Recommended
លេខផ្នែក
DMN2009USS-13
ផលិតករ
Diodes Incorporated
បរិមាណដែលមានavailable
1557
លេខផ្នែក
DMN2009USS-13-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.18
ប្រភេទជំនួស
Direct
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
DMN2005UFGQ-13
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
DMN62D0UT-13
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333