លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
IPI80N06S405AKSA1
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Infineon Technologies
លេខកូដបាកទំនិញ:
IPI80N06S405AKSA1-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
ស្ពានឧត្តម:
12802830
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
TZIs
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
IPI80N06S405AKSA1 កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Infineon Technologies
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
OptiMOS™
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
60 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
80A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
4V @ 60µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
6500 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
107W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
PG-TO262-3
កញ្ចប់ / ករណី
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
IPI80N
តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ
ព័ត៌មានបញ្ជី
ទិន្នន័យ HTML
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
IPI80N06S4-05
SP000415632
IPI80N06S4-05-DG
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
500
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IPI80N06S407AKSA2
ផលិតករ
Infineon Technologies
បរិមាណដែលមានavailable
500
លេខផ្នែក
IPI80N06S407AKSA2-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.80
ប្រភេទជំនួស
MFR Recommended
លេខផ្នែក
IPI80N06S405AKSA2
ផលិតករ
Infineon Technologies
បរិមាណដែលមានavailable
0
លេខផ្នែក
IPI80N06S405AKSA2-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
1.14
ប្រភេទជំនួស
Parametric Equivalent
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
IRF7946TR1PBF
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
IPI80N07S405AKSA1
MOSFET N-CH TO262-3
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
