លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
IXFP8N65X2M
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
IXYS
លេខកូដបាកទំនិញ:
IXFP8N65X2M-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
ស្ពានឧត្តម:
12915641
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
4eLu
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
IXFP8N65X2M កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Littelfuse
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
HiPerFET™, Ultra X2
ស្ថានភាពផលិតផល
Active
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
650 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
8A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
790 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
150W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-220 Isolated Tab
កញ្ចប់ / ករណី
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
IXFP8N65
ព័ត៌មានបន្ថែម
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
50
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
ROHS3 Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
IXTK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
PHB32N06LT,118
MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
IXFH120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
