FDD6512A

លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:

FDD6512A

Product Overview

ក្រុមហ៊ុនផលិត:

onsemi

លេខកូដបាកទំនិញ:

FDD6512A-DG

សេចក្តីអម្ចាស់:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

ស្ពានឧត្តម:

RFQ អនឡាញ

12848114

ស្នើសុំតម្លៃ

បរិមាណ
អប្បបរមា ១

(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង

សម្រង់

FDD6512A កំន់តំណត់បច្ចេកទេស

ប្រភេទ

FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET

ក្រុមហ៊ុនផលិត

onsemi

ការបញ្ចប់

-

ស៊េរី

PowerTrench®

ស្ថានភាពផលិតផល

Obsolete

ប្រភេទ FET

N-Channel

បច្ចេកវិទ្យា

MOSFET (Metal Oxide)

បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)

20 V

ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់

1.5V @ 250µA

បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (អតិបរមា)

±12V

សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds

1082 pF @ 10 V

លក្ខណៈពិសេស FET

-

ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ប្រភេទម៉ោន

Surface Mount

កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់

TO-252AA

កញ្ចប់ / ករណី

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន

FDD651

តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ

ព័ត៌មានបញ្ជី

ទិន្នន័យ HTML

ព័ត៌មានបន្ថែម

កញ្ចប់ស្តង់ដារ

2,500

ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ

កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)

1 (Unlimited)

ស្ថានភាពឈានដល់

REACH Unaffected

អេស៊ីអិន

EAR99

ក្រុមហ៊ុន HTSUS

8541.29.0095

ការព័ន្ធសុងពλεκ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ផលិតផលទាក់ទង

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN