លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
FDD6778A
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
FDD6778A-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount TO-252AA
ស្ពានឧត្តម:
12839169
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
FDD6778A កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
PowerTrench®
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
25 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
12A (Ta), 10A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
3V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
870 pF @ 13 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
3.7W (Ta), 24W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-252AA
កញ្ចប់ / ករណី
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
FDD677
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
FDD6778ACT
FDD6778ATR
FDD6778ADKR
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
2,500
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IPD135N03LGATMA1
ផលិតករ
Infineon Technologies
បរិមាណដែលមានavailable
31780
លេខផ្នែក
IPD135N03LGATMA1-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.26
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
HUFA76443S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK