លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
FDS6680S
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
FDS6680S-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
ស្ពានឧត្តម:
12836743
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
FDS6680S កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
PowerTrench®
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
30 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
11.5A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
11mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
3V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (អតិបរមា)
±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
2010 pF @ 15 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
2.5W (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
8-SOIC
កញ្ចប់ / ករណី
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
FDS66
តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ
ព័ត៌មានបញ្ជី
ទិន្នន័យ HTML
ព័ត៌មានបន្ថែម
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
2,500
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IRF7413ZTRPBF
ផលិតករ
Infineon Technologies
បរិមាណដែលមានavailable
2211
លេខផ្នែក
IRF7413ZTRPBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.28
ប្រភេទជំនួស
Similar
លេខផ្នែក
IRF8714TRPBF
ផលិតករ
Infineon Technologies
បរិមាណដែលមានavailable
26446
លេខផ្នែក
IRF8714TRPBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.21
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
FDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
FDMC0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP