FQA10N60C

លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:

FQA10N60C

Product Overview

ក្រុមហ៊ុនផលិត:

onsemi

លេខកូដបាកទំនិញ:

FQA10N60C-DG

សេចក្តីអម្ចាស់:

MOSFET N-CH 600V 10A TO3P

ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-3P

ស្ពានឧត្តម:

RFQ អនឡាញ

12850042

ស្នើសុំតម្លៃ

បរិមាណ
អប្បបរមា ១

(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង

សម្រង់

FQA10N60C កំន់តំណត់បច្ចេកទេស

ប្រភេទ

FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET

ក្រុមហ៊ុនផលិត

onsemi

ការបញ្ចប់

-

ស៊េរី

QFET®

ស្ថានភាពផលិតផល

Obsolete

ប្រភេទ FET

N-Channel

បច្ចេកវិទ្យា

MOSFET (Metal Oxide)

បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)

600 V

ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C

10A (Tc)

វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs

730mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់

4V @ 250µA

បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs

57 nC @ 10 V

Vgs (អតិបរមា)

±30V

សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds

2040 pF @ 25 V

លក្ខណៈពិសេស FET

-

ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)

192W (Tc)

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ប្រភេទម៉ោន

Through Hole

កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់

TO-3P

កញ្ចប់ / ករណី

TO-3P-3, SC-65-3

លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន

FQA1

តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ

ព័ត៌មានបញ្ជី

ទិន្នន័យ HTML

ព័ត៌មានបន្ថែម

កញ្ចប់ស្តង់ដារ

30

ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ

កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)

1 (Unlimited)

ស្ថានភាពឈានដល់

REACH Unaffected

អេស៊ីអិន

EAR99

ក្រុមហ៊ុន HTSUS

8541.29.0095

ការព័ន្ធសុងពλεκ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ផលិតផលទាក់ទង

onsemi

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

onsemi

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AON6268

MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN

onsemi

FDT55AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4