FQA12N60

លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:

FQA12N60

Product Overview

ក្រុមហ៊ុនផលិត:

onsemi

លេខកូដបាកទំនិញ:

FQA12N60-DG

សេចក្តីអម្ចាស់:

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P

ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:

N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

ស្ពានឧត្តម:

RFQ អនឡាញ

12923811

ស្នើសុំតម្លៃ

បរិមាណ
អប្បបរមា ១

TZRz

(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង

សម្រង់

FQA12N60 កំន់តំណត់បច្ចេកទេស

ប្រភេទ

FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET

ក្រុមហ៊ុនផលិត

onsemi

ការបញ្ចប់

-

ស៊េរី

QFET®

ស្ថានភាពផលិតផល

Obsolete

ប្រភេទ FET

N-Channel

បច្ចេកវិទ្យា

MOSFET (Metal Oxide)

បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)

600 V

ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C

12A (Tc)

វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់

5V @ 250µA

បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs

54 nC @ 10 V

Vgs (អតិបរមា)

±30V

សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds

1900 pF @ 25 V

លក្ខណៈពិសេស FET

-

ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)

240W (Tc)

សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ប្រភេទម៉ោន

Through Hole

កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់

TO-3P

កញ្ចប់ / ករណី

TO-3P-3, SC-65-3

លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន

FQA1

តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ

ព័ត៌មានបញ្ជី

ទិន្នន័យ HTML

ព័ត៌មានបន្ថែម

កញ្ចប់ស្តង់ដារ

30

ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ

កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)

1 (Unlimited)

ស្ថានភាពឈានដល់

REACH Unaffected

អេស៊ីអិន

EAR99

ក្រុមហ៊ុន HTSUS

8541.29.0095

ការព័ន្ធសុងពλεκ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ផលិតផលទាក់ទង

microsemi

JAN2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO39

JANTX2N6762

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA

vishay-siliconix

IRF9Z34PBF

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB

JAN2N6796U

MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC