លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
FQA20N40
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
FQA20N40-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 400 V 19.5A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
ស្ពានឧត្តម:
12838762
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
FQA20N40 កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
QFET®
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
400 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
19.5A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
220mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
2800 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
200W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-3P
កញ្ចប់ / ករណី
TO-3P-3, SC-65-3
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
FQA2
ព័ត៌មានបន្ថែម
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
450
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IXTQ22N50P
ផលិតករ
IXYS
បរិមាណដែលមានavailable
302
លេខផ្នែក
IXTQ22N50P-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
2.74
ប្រភេទជំនួស
Similar
លេខផ្នែក
2SK1317-E
ផលិតករ
Renesas Electronics Corporation
បរិមាណដែលមានavailable
5608
លេខផ្នែក
2SK1317-E-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
3.29
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
FCHD190N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 17A TO247
FQP7P06
MOSFET P-CH 60V 7A TO220-3
FDP047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
