លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
FQB6N70TM
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
FQB6N70TM-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 700 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
ស្ពានឧត្តម:
12837592
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
FXYh
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
FQB6N70TM កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
QFET®
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
700 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
6.2A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
5V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
1400 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-263 (D2PAK)
កញ្ចប់ / ករណី
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
FQB6
ព័ត៌មានបន្ថែម
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
800
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
STB5N80K5
ផលិតករ
STMicroelectronics
បរិមាណដែលមានavailable
205
លេខផ្នែក
STB5N80K5-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.77
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
FQP3N60C
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
HUFA75429D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
FDP2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3