លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
FQD13N06TF
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
FQD13N06TF-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
ស្ពានឧត្តម:
12839362
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
5Fob
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
FQD13N06TF កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
QFET®
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
60 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
10A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
4V @ 250µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±25V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
310 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-252AA
កញ្ចប់ / ករណី
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
FQD1
ព័ត៌មានបន្ថែម
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
2,000
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IRLR024TRPBF
ផលិតករ
Vishay Siliconix
បរិមាណដែលមានavailable
5762
លេខផ្នែក
IRLR024TRPBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.42
ប្រភេទជំនួស
Similar
លេខផ្នែក
NVD3055-150T4G-VF01
ផលិតករ
onsemi
បរិមាណដែលមានavailable
0
លេខផ្នែក
NVD3055-150T4G-VF01-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.24
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
FDBL86363-F085
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
FQP9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
