លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
NVJS3151PT1G
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
onsemi
លេខកូដបាកទំនិញ:
NVJS3151PT1G-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
ស្ពានឧត្តម:
12857623
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
PQJF
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
NVJS3151PT1G កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
onsemi
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
-
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
P-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
12 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
2.7A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
1.2V @ 100µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (អតិបរមា)
±12V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
850 pF @ 12 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
625mW (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ថ្នាក់ទី
Automotive
គុណវុឌ្ឍិ
AEC-Q101
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
SC-88/SC70-6/SOT-363
កញ្ចប់ / ករណី
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
NVJS31
តារាងទិន្នន័យ និងឯកសារ
ព័ត៌មានបញ្ជី
ទិន្នន័យ HTML
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
2156-NVJS3151PT1G-OS
ONSONSNVJS3151PT1G
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
3,000
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
ROHS3 Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.21.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
NTJS3151PT1G
ផលិតករ
onsemi
បរិមាណដែលមានavailable
10336
លេខផ្នែក
NTJS3151PT1G-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.10
ប្រភេទជំនួស
Parametric Equivalent
លេខផ្នែក
NTJS3151PT2G
ផលិតករ
onsemi
បរិមាណដែលមានavailable
2987
លេខផ្នែក
NTJS3151PT2G-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.10
ប្រភេទជំនួស
Parametric Equivalent
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
NDS8425
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
