លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
STP11N52K3
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
STMicroelectronics
លេខកូដបាកទំនិញ:
STP11N52K3-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
ស្ពានឧត្តម:
564 ឯកតា ថ្មី ធ្វើពីដើម មានស្តុក
12875318
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
QKmC
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
STP11N52K3 កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
STMicroelectronics
ការបញ្ចប់
Tube
ស៊េរី
SuperMESH3™
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
525 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
10A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
4.5V @ 50µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
1400 pF @ 50 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
125W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Through Hole
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
TO-220
កញ្ចប់ / ករណី
TO-220-3
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
STP11N
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
497-11870-5
-497-11870-5
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
50
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
ROHS3 Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
ស្ថានភាពឈានដល់
REACH Unaffected
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IXFP12N50P
ផលិតករ
IXYS
បរិមាណដែលមានavailable
300
លេខផ្នែក
IXFP12N50P-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
1.71
ប្រភេទជំនួស
Similar
លេខផ្នែក
IRFB13N50APBF
ផលិតករ
Vishay Siliconix
បរិមាណដែលមានavailable
1693
លេខផ្នែក
IRFB13N50APBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
1.46
ប្រភេទជំនួស
Similar
លេខផ្នែក
IRF740PBF
ផលិតករ
Vishay Siliconix
បរិមាណដែលមានavailable
1690
លេខផ្នែក
IRF740PBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.76
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
