លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
RN2108ACT(TPL3)
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Toshiba Semiconductor and Storage
លេខកូដបាកទំនិញ:
RN2108ACT(TPL3)-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
ស្ពានឧត្តម:
12890877
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
dw0S
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
RN2108ACT(TPL3) កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
ប៊ីភូឡាដី (BJT), ប៊ីពូឡាប៊ីភីបប្រព័ន្ធប៊ីពូឡារឌីកមួយ
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
-
ស្ថានភាពផលិតផល
Active
ប្រភេទត្រង់ស៊ីស្ទ័រ
PNP - Pre-Biased
ចរន្ត - អ្នកប្រមូល (Ic) (អតិបរមា)
80 mA
វ៉ុល - Collector Emitter Breakdown (អតិបរមា)
50 V
Resistor - មូលដ្ឋាន (R1)
22 kOhms
Resistor - មូលដ្ឋានបញ្ចេញ (R2)
47 kOhms
ការកើនឡើងចរន្ត DC (hFE) (នាទី) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
តិត្ថិភាព Vce (អតិបរមា) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
បច្ចុប្បន្ន - Collector Cutoff (អតិបរមា)
500nA
ថាមពល - អតិបរមា
100 mW
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ / ករណី
SC-101, SOT-883
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
CST3
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
RN2108
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
RN2108ACT(TPL3)TR
RN2108ACT(TPL3)CT
RN2108ACT(TPL3)DKR
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
10,000
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
RoHS Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.21.0095
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
RN1118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2115MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3