លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Toshiba Semiconductor and Storage
លេខកូដបាកទំនិញ:
TK2P60D(TE16L1,NQ)-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
ស្ពានឧត្តម:
12891045
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
lu6Y
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
TK2P60D(TE16L1,NQ) កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
π-MOSVII
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
600 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
2A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
4.4V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)
±30V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
280 pF @ 25 V
លក្ខណៈពិសេស FET
-
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
60W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
PW-MOLD
កញ្ចប់ / ករណី
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
TK2P60
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
2,000
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
ស្ថានភាព RoHS
RoHS Compliant
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.29.0095
ម៉ូដែលជំនួស
លេខផ្នែក
IRFUC20PBF
ផលិតករ
Vishay Siliconix
បរិមាណដែលមានavailable
7
លេខផ្នែក
IRFUC20PBF-DG
តម្លៃឯកត្តចម្រុះ
0.60
ប្រភេទជំនួស
Similar
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM
SSM3K361R,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
