លេខផលិតផលរបស់អ្នកផលិត:
TPCF8A01(TE85L)
Product Overview
ក្រុមហ៊ុនផលិត:
Toshiba Semiconductor and Storage
លេខកូដបាកទំនិញ:
TPCF8A01(TE85L)-DG
សេចក្តីអម្ចាស់:
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
ការពិពណ៌នាយ៉ាងលម្អិត:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
ស្ពានឧត្តម:
12890975
ស្នើសុំតម្លៃ
បរិមាណ
អប្បបរមា ១
អប្បបរមា ១
Hapr
(*) មានការទាមទារបាន
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
យើងនឹងរំលឹកអ្នកនៅក្នុងរយៈពេល 24 ម៉ោង
សម្រង់
TPCF8A01(TE85L) កំន់តំណត់បច្ចេកទេស
ប្រភេទ
FETs, MOSFETs, FET តែមួយ, MOSFET
ក្រុមហ៊ុនផលិត
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ការបញ្ចប់
-
ស៊េរី
U-MOSIII
ស្ថានភាពផលិតផល
Obsolete
ប្រភេទ FET
N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា
MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅប្រភពវ៉ុល (Vdss)
20 V
ចរន្ត - បង្ហូរបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25°C
3A (Ta)
វ៉ុលដ្រាយ (Max Rds On, Min Rds On)
2V, 4.5V
Rds On (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់
1.2V @ 200µA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (អតិបរមា)
±12V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (Ciss) (អតិបរមា) @ Vds
590 pF @ 10 V
លក្ខណៈពិសេស FET
Schottky Diode (Isolated)
ការរំសាយថាមពល (អតិបរមា)
330mW (Ta)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ
150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន
Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍ផ្គត់ផ្គង់
VS-8 (2.9x1.5)
កញ្ចប់ / ករណី
8-SMD, Flat Lead
លេខផលិតផលមូលដ្ឋាន
TPCF8A01
ព័ត៌មានបន្ថែម
ឈ្មោះផ្សេងទៀត
TPCF8A01CT
TPCF8A01(TE85L)CT
TPCF8A01FTR
TPCF8A01TE85LF
TPCF8A01(TE85L,F)
TPCF8A01TE85L
TPCF8A01(TE85L)DKR
TPCF8A01CTINACTIVE
TPCF8A01FDKR
TPCF8A01(TE85L)TR
TPCF8A01FCT-DG
TPCF8A01TRINACTIVE
TPCF8A01FCT
TPCF8A01TR-DG
TPCF8A01FTR-DG
TPCF8A01CT-DG
TPCF8A01(TE85L,F)-DG
TPCF8A01FDKR-DG
TPCF8A01TR
កញ្ចប់ស្តង់ដារ
4,000
ការប៉ាន់ប្រឌុយបរិស្ថាន និង ការបញ្ជាក់ការប្រែប្រជុំនាំចេញ
កម្រិតភាពប្រែប្រួលសំណើម (MSL)
1 (Unlimited)
អេស៊ីអិន
EAR99
ក្រុមហ៊ុន HTSUS
8541.21.0095
ការព័ន្ធសុងពλεκ
ផលិតផលទាក់ទង
TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
SSM3K344R,LF
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
DMN2990UFZ-7B
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN