ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបភាពត្រូវបានទាមទារនៅក្នុងកាមេរ៉ា ចាប់ពីទូរស័ព្ទរហូតដល់តេឡេស្កុប ចាប់យកពន្លឺ និងប្រែក្លាយវាទៅជារូបភាព។ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS (Front-Side Illuminated) និង BSI (Backside-Illuminated) ដំណើរការលើគោលការណ៍ស្រដៀងគ្នា ប៉ុន្តែខុសគ្នានៅក្នុងរចនាសម្ព័ន្ធ ដែលប៉ះពាល់ដល់ការចាប់យកពន្លឺ សំឡេងរំខាន និងគុណភាពពណ៌។ អត្ថបទនេះពន្យល់ពីការរចនា ការអនុវត្ត ការប្រើប្រាស់ និងការអភិវឌ្ឍនាពេលអនាគតរបស់ពួកគេយ៉ាងលម្អិត។
គ១. CMOS ទល់នឹង BSI Sensor ទិដ្ឋភាពទូទៅ
គ២. ស្ថាបត្យកម្មឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS
គ៣. នៅខាងក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI CMOS
គ៤. ប្រសិទ្ធភាពពន្លឺ និងការប្រៀបធៀបភាពប្រែប្រួល
គ៥. Pixel Shrink និង Fill Factor
គ៦. Crosstalk, Noise, និងការសាយភាយផ្នែកខាងក្រោយ
CC7. ពី BSI ទៅស្ថាបត្យកម្ម CMOS ជង់
គ៨. ជួរថាមវន្ត និងដំណើរការពណ៌នៅក្នុង CMOS vs BSI Sensors
គ៩. ការអនុវត្ត CMOS ទល់នឹងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI
គ១០. ការអភិវឌ្ឍន៍នាពេលអនាគតនៅក្នុង CMOS ទល់នឹងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI
គ ១១. សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
គ១២. សំណួរដែលគេសួរញឹកញាប់
CMOS ទល់នឹង BSI Sensor ទិដ្ឋភាពទូទៅ
កាមេរ៉ានីមួយៗ ចាប់ពីស្មាតហ្វូននៅក្នុងហោប៉ៅរបស់អ្នក រហូតដល់តេឡេស្កុបរុករកកាឡាក់ស៊ីឆ្ងាយ អាស្រ័យលើប្រសិទ្ធភាពនៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបភាពរបស់វា។ ទាំងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS និង BSI អនុវត្តតាមគោលការណ៍ semiconductor ស្រដៀងគ្នា ប៉ុន្តែភាពខុសគ្នានៃរចនាសម្ព័ន្ធរបស់ពួកគេនាំឱ្យមានការប្រែប្រួលសំខាន់ៗនៅក្នុងភាពប្រែប្រួលពន្លឺ ការអនុវត្តសំឡេងរំខាន និងគុណភាពរូបភាព។ នៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS ប្រពៃណី (Front-Side Illuminated, FSI) ខ្សែដែក និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រអង្គុយនៅខាងលើ photodiodes ដោយផ្នែកខ្លះរារាំងពន្លឺចូល និងកាត់បន្ថយភាពប្រែប្រួលសរុប។ ការរចនានេះធ្វើឱ្យឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS មានប្រសិទ្ធភាព និងងាយស្រួលក្នុងការផលិត ប៉ុន្តែកំណត់ដំណើរការពន្លឺតិច។ ផ្ទុយទៅវិញ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI (Back-Side Illuminated) ត្រឡប់រចនាសម្ព័ន្ធ ដោយដាក់ photodiode នៅខាងលើ ដូច្នេះពន្លឺទៅដល់វាដោយផ្ទាល់ដោយគ្មានការរាំងស្ទះ។ នេះធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាព quantum កាត់បន្ថយសំឡេងរំខាន និងបង្កើនដំណើរការនៅក្នុងប្រព័ន្ធរូបភាពតូច ឬកម្រិតខ្ពស់ ចាប់ពីកាមេរ៉ា DSLR រហូតដល់ឧបករណ៍វិទ្យាសាស្ត្រ។
ស្ថាបត្យកម្មឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS
សេនស័រ CMOS Front-Side Illuminated (FSI) តំណាងឱ្យរចនាសម្ព័ន្ធសេនស័ររូបភាពមុន និងធម្មតាដែលប្រើក្នុងកាមេរ៉ាឌីជីថល និងស្មាតហ្វូន។ នៅក្នុងស្ថាបត្យកម្មនេះ ពន្លឺដែលចូលមកត្រូវតែឆ្លងកាត់សម្ភារៈជាច្រើនស្រទាប់មុនពេលទៅដល់ photodiode ដែលជាតំបន់ដែលងាយនឹងពន្លឺដែលទទួលខុសត្រូវក្នុងការបំប្លែង photons ទៅជាសញ្ញាអគ្គិសនី។
ដំណើរការការងារ
ភីកសែលនីមួយៗនៅក្នុងអេក្រង់ដំណើរការតាមរយៈដំណើរការសម្របសម្រួលដែលពាក់ព័ន្ធនឹង microlenses, តម្រងពណ៌, ការតភ្ជាប់ដែក, ត្រង់ស៊ីស្ទ័រ, និងស្រទាប់ photodiode. microlenses ផ្តោតលើពន្លឺចូលដំបូងតាមរយៈតម្រងពណ៌ក្រហម បៃតង និងខៀវ ដោយធានាថាមានតែរលកជាក់លាក់ប៉ុណ្ណោះដែលឈានដល់ subpixel នីមួយៗ។ នៅខាងលើ photodiode, metal interconnects and transistors គ្រប់គ្រងការគ្រប់គ្រងអគ្គិសនីរបស់ភីកសែល និងការអានសញ្ញា ទោះបីជាទីតាំងរបស់ពួកគេអាចរារាំងផ្នែកខ្លះនៃពន្លឺចូលក៏ដោយ។ នៅក្រោមស្រទាប់ទាំងនេះស្ថិតនៅ photodiode ដែលចាប់យកពន្លឺដែលនៅសល់ និងបំប្លែងវាទៅជាបន្ទុកអគ្គិសនី បង្កើតជាសញ្ញារូបភាពមូលដ្ឋានរបស់ភីកសែល។
ដែនកំណត់នៃការរចនា FSI
• កាត់បន្ថយភាពប្រែប្រួលពន្លឺ៖ ផ្នែកមួយនៃពន្លឺត្រូវបានឆ្លុះបញ្ចាំង ឬស្រូបយកដោយស្រទាប់ខ្សែភ្លើង និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ មុនពេលវាអាចទៅដល់ photodiode ។
• Lower Fill Factor: នៅពេលដែលទំហំភីកសែលធ្លាក់ចុះ សមាមាត្រនៃតំបន់ដែលងាយនឹងពន្លឺទៅនឹងផ្ទៃភីកសែលសរុបថយចុះ ដែលនាំឱ្យមានសំឡេងរំខានកាន់តែច្រើន។
• ដំណើរការពន្លឺទាបខ្សោយ៖ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI តស៊ូនៅក្នុងបរិយាកាសស្រអាប់បើប្រៀបធៀបទៅនឹងជម្រើសទំនើបដូចជាឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ជាដើម។
នៅខាងក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI CMOS
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS Backside-Illuminated (BSI) បានធ្វើបដិវត្តន៍រូបភាពឌីជីថលដោយដោះស្រាយគុណវិបត្តិសំខាន់នៃការរចនា Front-Side Illuminated (FSI) បែបប្រពៃណី ការស្ទះពន្លឺពីខ្សែភ្លើងដែក និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រ។ ដោយបញ្ច្រាសរចនាសម្ព័ន្ធរបស់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI អនុញ្ញាតឱ្យពន្លឺចូលទៅដល់ photodiode ដោយផ្ទាល់ ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពពន្លឺ និងគុណភាពរូបភាព។
មុខងារបច្ចេកវិទ្យា BSI
• wafer ស៊ីលីកុនត្រូវបានស្តើងចុះមកត្រឹមតែប៉ុន្មានមីក្រូម៉ែត្រដើម្បីបង្ហាញស្រទាប់ photosensitive
• ស្រទាប់ photodiode ត្រូវបានដាក់នៅផ្នែកខាងលើ, ដោយផ្ទាល់ប្រឈមមុខនឹងពន្លឺចូល
• ខ្សែភ្លើងដែក និងសៀគ្វីត្រង់ស៊ីស្ទ័រត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរទៅផ្នែកខាងក្រោយ ការពារពួកវាពីការរារាំងផ្លូវពន្លឺ
• microlenses កម្រិតខ្ពស់ត្រូវបានតម្រឹមយ៉ាងច្បាស់លាស់លើភីកសែលនីមួយៗដើម្បីធានាបាននូវការផ្តោតពន្លឺល្អបំផុត
អត្ថប្រយោជន៍នៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI
• ប្រសិទ្ធភាពស្រូបយកពន្លឺខ្ពស់៖ ធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងរហូតដល់ 30-50% បើប្រៀបធៀបទៅនឹងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI ដែលធ្វើឱ្យរូបភាពភ្លឺ និងស្អាតជាងមុន។
• ការអនុវត្តពន្លឺទាបដ៏ល្អឥតខ្ចោះ៖ ការកាត់បន្ថយការបាត់បង់ photon បង្កើនភាពប្រែប្រួល និងកាត់បន្ថយសំលេងរំខាននៅក្នុងបរិយាកាសងងឹត។
• ភាពត្រឹមត្រូវនៃពណ៌កាន់តែប្រសើរឡើង៖ ជាមួយនឹងផ្លូវពន្លឺដែលមិនមានការរាំងស្ទះ តម្រងពណ៌បង្កើតសម្លេងត្រឹមត្រូវ និងរស់រវើកកាន់តែច្រើន។
• ការរចនាភីកសែលបង្រួម៖ BSI គាំទ្រទំហំភីកសែលតូចជាងមុន ខណៈពេលដែលរក្សាគុណភាពរូបភាព ល្អសម្រាប់ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាដែលមានគុណភាពបង្ហាញខ្ពស់។
• Enhanced Dynamic Range: ការចាប់យកសញ្ញាកាន់តែប្រសើរទាំងនៅក្នុងតំបន់ភ្លឺ និងស្រអាប់នៃឈុតឆាក។
ប្រសិទ្ធភាពពន្លឺ និងការប្រៀបធៀបភាពប្រែប្រួល
| លក្ខណៈពិសេស | ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI CMOS | ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI |
|---|---|---|
| ផ្លូវពន្លឺ | ពន្លឺឆ្លងកាត់ខ្សែភ្លើង → ការបាត់បង់ផ្នែក | ដោយផ្ទាល់ទៅ photodiode → ការបាត់បង់តិចតួចបំផុត |
| ប្រសិទ្ធភាព Quantum (QE) | ៦០-៧០% | 90-100% |
| ការសម្តែងពន្លឺតិច | មធ្យម | ល្អ |
| ការឆ្លុះបញ្ចាំង & Crosstalk | ខ្ពស់ | ទាប |
| ភាពច្បាស់រូបភាព | មធ្យម | ច្បាស់ និងភ្លឺក្នុងពន្លឺស្រអាប់ |
Pixel Shrink និង Fill Factor
នៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI CMOS
នៅពេលដែលទំហំភីកសែលធ្លាក់ចុះក្រោម 1.4 μm ការតភ្ជាប់ដែក និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រកាន់កាប់ផ្ទៃធំជាង។ កត្តាបំពេញថយចុះ បណ្តាលឱ្យពន្លឺតិចជាងដែលត្រូវបានចាប់យកក្នុងមួយភីកសែល និងបង្កើនសំឡេងរំខានរូបភាព។ លទ្ធផលគឺរូបភាពងងឹត កម្រិតពណ៌ថយចុះ និងដំណើរការខ្សោយក្នុងលក្ខខណ្ឌពន្លឺតិច។
នៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI CMOS
photodiode ត្រូវបានដាក់នៅខាងលើខ្សែភ្លើង អនុញ្ញាតឱ្យពន្លឺវាយប្រហារវាដោយផ្ទាល់។ ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធនេះសម្រេចបានកត្តាបំពេញជិត 100% មានន័យថាតំបន់ភីកសែលស្ទើរតែទាំងមូលក្លាយជាពន្លឺ។ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI រក្សាពន្លឺឯកសណ្ឋាន និងសមាមាត្រ signal-to-noise (SNR) ខ្ពស់ជាងនៅទូទាំងស៊ុមរូបភាព។ ពួកវាក៏ផ្តល់នូវដំណើរការពន្លឺតិចដ៏ល្អឥតខ្ចោះ សូម្បីតែនៅក្នុងម៉ូឌុលតូចដូចជាស្មាតហ្វូន ឬកាមេរ៉ាដ្រូនក៏ដោយ។
Crosstalk, Noise, និងការសាយភាយខាងក្រោយ
| ទិដ្ឋភាព | បញ្ហាសក្តានុពលនៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS (FSI) | បញ្ហាសក្តានុពលនៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI | ដំណោះស្រាយវិស្វកម្ម | ផលប៉ះពាល់លើគុណភាពរូបភាព |
|---|---|---|---|---|
| Crosstalk អុបទិក | ពន្លឺត្រូវបានខ្ចាត់ខ្ចាយ ឬរារាំងដោយខ្សែភ្លើងដែកមុនពេលទៅដល់ photodiode ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបំភ្លឺមិនស្មើគ្នា។ | ពន្លឺលេចធ្លាយចូលទៅក្នុងភីកសែលជិតខាងដោយសារការប៉ះពាល់ផ្នែកខាងក្រោយ។ | Deep Trench Isolation (DTI)៖ បង្កើតរបាំងរាងកាយរវាងភីកសែលដើម្បីការពារការជ្រៀតជ្រែកអុបទិក។ | រូបភាពច្បាស់ជាងមុន ការបំបែកពណ៌កាន់តែប្រសើរ និងកាត់បន្ថយការព្រិល។ |
| ការរួមបញ្ចូលគ្នានៃការគិតថ្លៃឡើងវិញ | ឧបករណ៍ផ្ទុកបន្ទុកត្រូវបានបាត់បង់នៅក្នុងស្រទាប់ស៊ីលីកុនក្រាស់ ឬស្រទាប់លោហៈ ដែលបន្ថយភាពប្រែប្រួល។ | Backside Recombination: Carriers reរួមបញ្ចូលគ្នានៅជិតផ្ទៃដែលប៉ះពាល់មុនពេលប្រមូល។ | Passivation Layers & Surface Treatment: កាត់បន្ថយពិការភាព និងកែលម្អការប្រមូលបន្ទុក។ | បង្កើនភាពប្រែប្រួល និងកាត់បន្ថយការបាត់បង់សញ្ញា។ |
| ឥទ្ធិពលរីកដុះដាល | Overexposure នៅក្នុងភីកសែលមួយបណ្តាលឱ្យភីកសែលដែលនៅជាប់គ្នាឆ្អែតដោយសារការសាយភាយផ្នែកខាងមុខ។ | Overexposure រីករាលដាលបន្ទុកនៅក្រោមស្រទាប់ស៊ីលីកុនស្តើង។ | Surface Doping & Charge Barriers: ផ្ទុកបន្ទុក និងការពារការហូរហៀរ។ | កាត់បន្ថយស្នាមពណ៌ស និងការរំលេចរលោងជាងមុន។ |
| សំឡេងរំខានអគ្គិសនី និងកំដៅ | កំដៅពីត្រង់ស៊ីស្ទ័រនៅលើភីកសែលបង្កើតសំលេងរំខាននៅក្នុងផ្លូវសញ្ញា។ | សំឡេងរំខានខ្ពស់ដោយសារតែស៊ីលីកុនស្តើង និងសៀគ្វីក្រាស់។ | ឧបករណ៍បំពងសំឡេងរំខានទាប និងក្បួនដោះស្រាយការកាត់បន្ថយសំឡេងរំខាននៅលើបន្ទះឈីប។ | រូបភាពស្អាតជាងមុន ធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវដំណើរការពន្លឺតិច។ |
| បំពេញដែនកំណត់កត្តា | ស្រទាប់លោហៈ និងត្រង់ស៊ីស្ទ័រគ្របដណ្តប់ផ្ទៃភីកសែលធំ កាត់បន្ថយភាពប្រែប្រួលពន្លឺ។ | ស្ទើរតែលុបបំបាត់ - photodiode ប៉ះពាល់យ៉ាងពេញលេញទៅនឹងពន្លឺ។ | រចនាសម្ព័ន្ធ BSI និងការបង្កើនប្រសិទ្ធភាព Microlens ។ | ការចាប់យកពន្លឺអតិបរមា និងពន្លឺឯកសណ្ឋាន។ |
ពី BSI ទៅស្ថាបត្យកម្ម CMOS ជង់
រចនាសម្ព័ន្ធនៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS ជង់
| ស្រទាប់ | មុខងារ | ការពិពណ៌នា |
|---|---|---|
| ស្រទាប់កំពូល | អារេភីកសែល (រចនារបស់ BSI) | មាន photodiodes ដែលងាយនឹងពន្លឺដែលចាប់យកពន្លឺចូល ដោយប្រើរចនាសម្ព័ន្ធ BSI ដើម្បីបង្កើនភាពប្រែប្រួល។ |
| ស្រទាប់កណ្តាល | សៀគ្វីអាណាឡូក / ឌីជីថល | ដោះស្រាយការបំប្លែងសញ្ញា ការពង្រីក និងកិច្ចការដំណើរការរូបភាពដោយឡែកពីអារេភីកសែលសម្រាប់លទ្ធផលស្អាតជាងមុន។ |
| ស្រទាប់បាត | ការរួមបញ្ចូលអង្គចងចាំ ឬដំណើរការ | អាចរួមបញ្ចូលស្នូលដំណើរការ DRAM ឬ AI ដែលបានបង្កប់សម្រាប់ការផ្ទុកទិន្នន័យយ៉ាងឆាប់រហ័ស និងការបង្កើនរូបភាពតាមពេលវេលាជាក់ស្តែង។ |
អត្ថប្រយោជន៍នៃឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS ជង់
• Ultra-Fast Readout: អនុញ្ញាតឱ្យថតបន្តល្បឿនលឿន និងការថតវីដេអូជាក់ស្តែងរហូតដល់កម្រិត 4K ឬ 8K ជាមួយនឹងការបង្ខូចទ្រង់ទ្រាយបិទរំកិលតិចតួចបំផុត។
• Enhanced On-Chip Processing: រួមបញ្ចូលសៀគ្វីតក្កវិជ្ជាដែលធ្វើការបញ្ចូលគ្នា HDR ការកែតម្រូវចលនា និងការកាត់បន្ថយសំឡេងរំខានដោយផ្ទាល់នៅលើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា។
• ប្រសិទ្ធភាពថាមពល៖ ផ្លូវទិន្នន័យខ្លី និងដែនថាមពលឯករាជ្យធ្វើអោយប្រសើរឡើង • throughput ខណៈពេលដែលកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពល។
• កត្តាទម្រង់តូច៖ ការជង់បញ្ឈរអនុញ្ញាតឱ្យការរចនាម៉ូឌុលបង្រួមល្អសម្រាប់ស្មាតហ្វូន កាមេរ៉ារថយន្ត និងយន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក។
• AI និង Computational Imaging Support: ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាជង់មួយចំនួនរួមមានប្រព័ន្ធដំណើរការសរសៃប្រសាទដែលខិតខំប្រឹងប្រែងសម្រាប់ការផ្តោតអារម្មណ៍ដោយស្វ័យប្រវត្តិឆ្លាតវៃ ការទទួលស្គាល់ឈុតឆាក និងការបង្កើនពេលវេលាជាក់ស្តែង។
ជួរថាមវន្ត និងដំណើរការពណ៌នៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS ទល់នឹង BSI
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI (Backside-illuminated)
ដោយការលុបបំបាត់ខ្សែភ្លើងដែកខាងលើ photodiode ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI អនុញ្ញាតឱ្យ photons ទៅដល់តំបន់ដែលងាយនឹងពន្លឺដោយផ្ទាល់។ រចនាសម្ព័ន្ធនេះបង្កើនសមត្ថភាពពេញលេញ ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវការស្រូបយកពន្លឺ និងកាត់បន្ថយការកាត់ពន្លឺ។ ជាលទ្ធផល ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ផ្តល់នូវដំណើរការ HDR ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ជម្រៅពណ៌កាន់តែប្រសើរ និងកម្រិតស្រមោលល្អជាងមុន ដែលធ្វើឱ្យពួកវាល្អបំផុតសម្រាប់ការថតរូប HDR រូបភាពវេជ្ជសាស្រ្ត និងការឃ្លាំមើលពន្លឺទាប។
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI (ផ្នែកខាងមុខបំភ្លឺ)
ផ្ទុយទៅវិញ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា FSI តម្រូវឱ្យពន្លឺឆ្លងកាត់ស្រទាប់ជាច្រើននៃសៀគ្វីមុនពេលទៅដល់ photodiode ។ នេះបណ្តាលឱ្យមានការឆ្លុះបញ្ចាំងផ្នែក និងការខ្ចាត់ខ្ចាយ ដែលកំណត់ជួរថាមវន្ត និងសមត្ថភាពធ្វើផែនទីសម្លេង។ ពួកវាងាយនឹងប៉ះពាល់ខ្លាំងក្នុងលក្ខខណ្ឌភ្លឺ ហើយជាញឹកញាប់បង្កើតពណ៌មិនត្រឹមត្រូវនៅក្នុងស្រមោលជ្រៅ។
ការអនុវត្តឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS ទល់នឹង BSI
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS (FSI)
•ចក្ខុវិស័យម៉ាស៊ីន
•អធិការកិច្ចឧស្សាហកម្ម
• ការថតចម្លងវេជ្ជសាស្រ្ត
• កាមេរ៉ាឃ្លាំមើល
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI
• ស្មាតហ្វូន
• កាមេរ៉ាឌីជីថល
• រថយន្ត ADAS
•តារាសាស្ត្រ និងរូបភាពវិទ្យាសាស្ត្រ
• ការថតវីដេអូ 8K
ការអភិវឌ្ឍន៍នាពេលអនាគតនៅក្នុង CMOS ទល់នឹងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI
• ការរចនាជង់ 3D រួមបញ្ចូលគ្នានូវស្រទាប់ភីកសែល តក្កវិជ្ជា និងអង្គចងចាំសម្រាប់ការអានលឿនបំផុត និងរូបភាពដែលជំរុញដោយ AI ។
• ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI បិទសកលលុបបំបាត់ការបង្ខូចទ្រង់ទ្រាយចលនាសម្រាប់មនុស្សយន្ត យន្តហោះគ្មានមនុស្សបើក និងប្រព័ន្ធរថយន្ត។
• CMOS សរីរាង្គ និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា quantum-dot ផ្តល់នូវភាពប្រែប្រួលខ្ពស់ ការឆ្លើយតបវិសាលគមទូលំទូលាយ និងពណ៌សម្បូរបែប។
• ដំណើរការ AI នៅលើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាអនុញ្ញាតឱ្យកាត់បន្ថយសំឡេងរំខានតាមពេលវេលាជាក់ស្តែង ការរកឃើញវត្ថុ និងការគ្រប់គ្រងការប៉ះពាល់អាដាប់ធ័រ។
• វេទិការូបភាពកូនកាត់រួមបញ្ចូលគ្នានូវគុណសម្បត្តិ CMOS និង BSI ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវជួរថាមវន្ត និងកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពល។
សេចក្តីសន្និដ្ឋាន
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS និង BSI បានផ្លាស់ប្តូររូបភាពទំនើប ដោយ BSI ផ្តល់នូវភាពប្រែប្រួលពន្លឺខ្ពស់ សំលេងរំខានតិច និងភាពត្រឹមត្រូវនៃពណ៌កាន់តែប្រសើរ។ ការកើនឡើងនៃ CMOS ជង់ និងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារួមបញ្ចូល AI បង្កើនល្បឿន ភាពច្បាស់នៃរូបភាព និងជួរថាមវន្ត។ រួមគ្នា បច្ចេកវិទ្យាទាំងនេះបន្តជំរុញការថតរូប ការឃ្លាំមើល និងរូបភាពវិទ្យាសាស្ត្រជាមួយនឹងភាពជាក់លាក់ និងប្រសិទ្ធភាពកាន់តែច្រើន។
សំណួរដែលគេសួរញឹកញាប់
តើសម្ភារៈអ្វីខ្លះដែលប្រើក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS និង BSI?
ទាំងពីរប្រើ silicon wafers ។ ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ក៏រួមបញ្ចូលស្រទាប់ស៊ីលីកុនស្តើង microlenses និង interconnects លោហៈសម្រាប់ការស្រូបយកពន្លឺកាន់តែប្រសើរ។
តើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាប្រភេទណាដែលប្រើថាមពលច្រើនជាង?
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ប្រើប្រាស់ថាមពលកាន់តែច្រើនដោយសារការរចនាស្មុគស្មាញ និងដំណើរការទិន្នន័យលឿនជាងមុន ទោះបីជាការរចនាទំនើបកំពុងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពក៏ដោយ។
ហេតុអ្វីបានជាឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ថ្លៃជាង CMOS?
ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា BSI ទាមទារជំហានផលិតបន្ថែម ដូចជាការស្តើង wafer និងការតម្រឹមស្រទាប់ច្បាស់លាស់ ដែលធ្វើឱ្យពួកវាមានតម្លៃថ្លៃក្នុងការផលិត។
តើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាទាំងនេះគ្រប់គ្រងកំដៅដោយរបៀបណា?
សីតុណ្ហភាពខ្ពស់បង្កើនសំលេងរំខាននៅក្នុងឧបករណ៍ចាប់សញ្ញាទាំងពីរ។ ការរចនា BSI ជាញឹកញាប់រួមបញ្ចូលការគ្រប់គ្រងកំដៅកាន់តែប្រសើរដើម្បីរក្សាគុណភាពរូបភាពឱ្យមានស្ថេរភាព។
តើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា CMOS និង BSI អាចរកឃើញពន្លឺអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដបានទេ?
បាទ. នៅពេលបំពាក់ដោយថ្នាំកូត IR-sensitive ឬតម្រងត្រូវបានដកចេញ ទាំងពីរអាចរកឃើញអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ ដោយ BSI បង្ហាញពីភាពប្រែប្រួល IR កាន់តែប្រសើរ។
តើអ្វីទៅជាគោលបំណងនៃ microlenses នៅលើឧបករណ៍ចាប់សញ្ញារូបភាព?
Microlenses ណែនាំពន្លឺដោយផ្ទាល់ទៅក្នុង photodiode របស់ភីកសែលនីមួយៗ ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវពន្លឺ និងប្រសិទ្ធភាពនៅក្នុងសេនស័រ BSI តូចៗ។
